電平(ping)表(biao)振(zhen)蕩(dang)器(qi) 振蕩(dang)器(qi) HAD-TD5012F
、概述及(ji)點(dian)
1.1、本(ben)儀(yi)器(qi)屬於多能綜合測(ce)試(shi)儀(yi)表(biao):“電(dian)平(ping)表(biao)+振(zhen)蕩(dang)器(qi)+用表(biao)+頻(pin)率(lv)計(ji)”。
1.2、 采用DDS術制,數(shu)字(zi)及(ji)漢(han)化界(jie)面,體(ti)積(ji)小,僅(jin)0.8kg。
1.3、自(zi)動較準(zhun),自(zi)動扣(kou)除(chu)誤差(cha),不需人為參與。
1.4、所(suo)有測(ce)量(liang)數(shu)據(ju)采用速(su)微型(xing)計(ji)算機處理。
1.5、振蕩(dang)器(qi)的輸(shu)出頻(pin)率(lv)采用鎖(suo)相方(fang)式(shi)。
1.6、善的鋰電池(chi)供電(dian)和充電系統。
2、主(zhu)要(yao)術(shu)標(電平(ping)表(biao)分(fen))
2.1、測(ce)試(shi)頻(pin)率(lv)範圍:15Hz~1MHz
註:若(ruo)無用(yong)戶別(bie)要(yao)求(qiu),出廠(chang)標檢(jian)驗(yan)範圍(wei)為:15Hz~620kHz。
2 .2、測(ce)試(shi)電(dian)平(ping)範(fan)圍(wei):+50dB~-70dB
註(zhu):在(zai)+50dB~+40dB檔測(ce)量(liang)時,建(jian)議采用輸入阻(zu)抗為“阻(zu)”測(ce)量(liang)且測(ce)量(liang)
時間不過(guo)20秒(miao)鐘(zhong)。
2.3、頻(pin)率(lv)響(xiang)應:
15Hz~100Hz ±1dB
100Hz~20KHz ±0.5dB
20KHz~620 KHz ±0.7dB
2.4、零(ling)電(dian)平(ping)誤(wu)差(cha):(以(yi)600Ω,或75Ω,0 dB 為準(zhun))±0.5dB
2.5、意(yi)電(dian)平(ping)誤(wu)差(cha):±0.75dB
2.6、輸入(ru)阻(zu)抗75Ω,150Ω,600Ω,阻(zu)
2.7、換檔誤(wu)差(cha):+50dB~-40dB ±0.5dB -50dB~-60dB±1dB
2.8、測(ce)量(liang)誤差(cha):+50dB~-40dB ±0.5dB -50dB~-70dB±1dB
2.9、阻(zu)抗轉換誤差(cha):0.6dB
註:出廠(chang)設置(zhi)為600Ω 鐵通(tong)用(yong)測(ce)量(liang)儀(yi)器(qi)3、主(zhu)要(yao)術(shu)標(振蕩(dang)器(qi)分)
3.1、輸(shu)出頻(pin)率(lv)範圍:15Hz~1MHz。
3.1.1、頻(pin)率(lv)誤差(cha)≤0.5%,穩定度(du)3×10-6,分辨率1HZ
3.1.2、輸(shu)出頻(pin)率(lv)響(xiang)應80Hz~620kHz≤±0.5dB≤80Hz只作(zuo)頻(pin)率(lv)輸出信(xin)號參考。
3.2、輸出電(dian)平(ping)
3.2.1、輸(shu)出阻(zu)抗為600Ω時,其(qi)*不失(shi)真輸(shu)出電(dian)平(ping)為9dB
3.2.2、輸出阻(zu)抗為0Ω時,其(qi)*輸(shu)出電(dian)平(ping)為+15dB
3.2.3、輸出電(dian)平(ping)可(ke)調(tiao)範(fan)圍(wei):30dB,可調分辨率≤1dB
3.3、輸(shu)出阻(zu)抗:0Ω,600Ω
註:出廠(chang)時(shi)振蕩(dang)器(qi)輸出頻(pin)率(lv)設置(zhi)為800HZ,輸出電(dian)平(ping)為+0dB,輸出阻(zu)抗設置(zhi)為600Ω。
4、主(zhu)要(yao)術(shu)標(用表(biao)分(fen))
4.1、直流(liu)電壓(ya):0-1000V 誤差(cha):±1%+3
4.2、交流(liu)電壓(ya):0-1000V 誤差(cha):±1%+5
4.3、直流(liu)電流(liu):0-10A 誤差(cha):±1.5%+3
4.4、交流(liu)電流(liu):0-10A 誤差(cha):±1.5%+5
4.5、電阻(zu): 0-60MΩ 誤(wu)差(cha):±0.8%+3 60MΩ-600MΩ 誤差(cha):±1 %+5
4.6、電容
0-4nf 誤差(cha):5%+25
4nF-40 nF 誤差(cha):5%+110
40nF-400nF 誤差(cha):5%+3
400nF-4uF 誤差(cha):5%+2
4uF-40uF 誤差(cha):5%+2
40uF-400uF 誤差(cha):5%+5
400uF-4000uF 誤差(cha):10%
4.7、測(ce)量(liang)管0-2V
4.8、通(tong)斷(duan)檢(jian)測(ce)
5、主(zhu)要(yao)術(shu)標(頻(pin)率(lv)計(ji)分(fen))
5.1、輸(shu)入(ru)靈(ling)敏(min)度(du)-25dB~+5dB
5.2、測(ce)量(liang)頻(pin)率(lv)範圍0-100MHz
5.3、測(ce)量(liang)精度(du) ±1%
註:1、儀(yi)器(qi) 的頻(pin)率(lv)計(ji)分(fen)出廠(chang)時(shi)設置(zhi)為0-10MHZ的測(ce)量(liang)範圍(wei)。
2、10MHZ-100MHZ的測(ce)量(liang),需用制(zhi)的輸(shu)入(ru)分頻(pin)轉(zhuan)接(jie)器(qi)(用戶(hu)訂)
6、顯示(shi)方(fang)式(shi) 點(dian)陣LCD,數(shu)字(zi)方(fang)式(shi),背(bei)光。
7、使用(yong)環境(jing)溫(wen)度(du) -30℃— +40℃
8、相對濕度(du)<80%
9、電源(yuan)
9.1、直流(liu)3W/7.2V鋰離(li)子電池(chi)2000mAh
9.2、充電器(qi)8.4V/1A
9.3、連續充電時(shi)間≥6小時
9.4、連續作(zuo)時間≥ 5小時
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